Voy a desglosar todo el proceso desde cero, como si estuviéramos en un seminario de química de materiales o fotocatálisis. Asumiré que eres químico con base en óxidos semicondutores y catálisis, pero explicaré conceptos clave sin dar por sentado nada. Usaré ecuaciones químicas, diagramas conceptuales simples (en texto) y razonamientos termodinámicos/electrónicos para que sea claro.El sistema es un fotocatalizador híbrido Cu/TiO?, preparado por deposición reactiva por sputtering de magnetrón, diseñado para la reducción fotocatalítica selectiva de CO? + H?O a CH?OH (metanol) bajo luz solar/UV. Es endergónico (?G° = +702 kJ/mol), pero impulsado por fotones. El foco es la selectividad >70% a metanol (vs. subproductos como CO o CH?), gracias a nanopartículas de Cu (2-5 nm) en estados mixtos Cu?/Cu? que facilitan la hidrogenación de intermediarios.Dividiré en secciones: 1. Fundamento químico general, 2. Síntesis detallada, 3. Mecanismo fotocatalítico paso a paso, 4. Rendimiento y simulaciones, 5. Escalabilidad industrial. Al final, un glosario rápido.

1. Fundamento Químico General: ¿Por Qué Funciona Este Sistema?El TiO? (dióxido de titanio, fase anatasa) es un semicondutor de banda prohibida ancha (E_g ? 3.2 eV), estable, barato y abundante, pero ineficiente solo para reducir CO? porque:

• Absorbe solo UV (<387 nm, ~5% de la luz solar).
• Alta recombinación electrón-hueco (e?/h?): Los fotones excitan electrones de la banda de valencia (VB) a la banda de conducción (CB), dejando huecos en VB. Sin separación rápida, se recombinan en ps, liberando calor/fotones perdidos.
• Potenciales redox desfavorables: Para CO? + 2H?O ? CH?OH + 1.5 O?, necesitas E_redox ? -0.38 V vs. NHE (pH 7) para reducción CO?/CH?OH, pero CB de TiO? anatasa está en ~ -0.5 V, y VB en +2.7 V (suficiente para oxidar H?O a O?, +0.82 V).

El rol del Cu (dopaje metálico):

• Cu como co-catalizador (no dopante iónico) crea sitios de adsorción y transferencia de cargas. Estados mixtos Cu? (metálico) / Cu? (Cu?O) actúan como trampas para e? (Cu? reduce CO?), mientras h? van a TiO? para oxidar H?O.
• Extensión del bandgap: Cu introduce estados defectos en la banda prohibida, bajando E_g a 2.8-3.0 eV, permitiendo absorción visible (? > 400 nm, ~43% solar).
• Mecanismo de selectividad: Cu? estabiliza intermediarios como *CO (adsorbido) ? CHO (formil), vía hidrogenación (H? + e? de agua), evitando desorción prematura a CO gas. DFT muestra barreras bajas (0.17-0.72 eV) para esta vía 6e?, vs. >1 eV para CH? (8e?).

Reacción global (equilibrada): CO?(g) + 2 H?O(l) ? CH?OH(l) + 1.5 O?(g) ?G° = +702 kJ/mol (endergónica, necesita ~6 fotones UV/visible por molécula CH?OH).Diagrama de bandas simplificado (en texto):

Luz UV/Vis ? e? (CB TiO?, -0.5 V) + h? (VB TiO?, +2.7 V)
          ? transferencia
Cu?/Cu? (trampa e?) ? reduce *CO? a *COOH ? *CHO ? CH?OH
TiO? (h?) ? oxida H?O a O? + 4H?

Sin Cu, recombinación >90%; con Cu bien disperso (2-5 nm), separación >50%, QE >5% a 400 nm.

2. Síntesis Detallada: Deposición Reactiva por Magnetrón SputteringEste es el corazón de la novedad: un método PVD (deposición física en vapor) «limpio» y uniforme, vs. impregnación húmeda (partículas grandes, residuos). Produce NPs de Cu irregulares (mejor para adsorción que esféricas), con carga 2 wt% Cu.Materiales iniciales:

• Soporte: TiO? anatasa (Degussa P25, 20-50 nm partículas, >50 m²/g BET, pureza >99%, E_g = 3.2 eV).
• Precursor: Target de Cu puro (99.99%, disco 3″ Ø).
• Gases: Ar (inert, 20-30 sccm), O? reactivo (1-2 sccm, para formar CuO parcial).

Paso a paso (tiempo total ~24 h por 100 g batch):

1. Preparación del soporte (2-6 h):
   • Calienta 100 g TiO? P25 en horno mufla a 500°C por 6 h (rampa 5°C/min, atmósfera aire).
   • Propósito químico: Genera vacantes de oxígeno (V_O) en la superficie TiO? (Ti^{4+} + O^{2-} ? Ti^{3+} + V_O + 1/2 O?). Estas vacantes actúan como trampas para h?, reduciendo recombinación, y extienden E_g ligeramente. XPS post-calcina muestra ~5-10% Ti^{3+}.
2. Configuración del equipo de sputtering (30 min):
   • Cámara de vacío: Evacúa a <10^{-5} Torr (base).
   • Soporte: Coloca TiO? calcinado en tambor rotatorio (10-20 rpm, para uniformidad).
   • Target: Cu (3″ Ø, distancia a soporte 5-10 cm).
   • Plasma: RF o DC magnetrón (100 kHz, 50% duty cycle para pulsed sputtering, evita sobrecalentamiento).
3. Deposición de Cu (5-15 min):
   • Parámetros: Potencia 50-100 W, presión 5-10 mTorr, flujo Ar 20-30 sccm + O? 1-2 sccm, voltaje 300-500 V, T <100°C (enfriado por agua).
   • Mecanismo físico-químico:
     • Ar plasma genera iones Ar? que bombardean el target Cu, liberando átomos Cu neutros/ionizados.
     • O? reactivo oxida parcialmente: Cu + 1/2 O? ? CuO (o Cu?O), formando clusters mixtos.
     • Átomos Cu se adsorben en TiO? rotante, nucleando NPs 2-5 nm (TEM confirma tamaño; XRD muestra fases anatasa intacta, sin agregados).
   • Monitoreo: ICP-OES hasta 2 wt% Cu (uniformidad >95%, BET ~45 m²/g post-deposición).
   • Por qué sputtering > impregnación: Evita calcinación alta (no sinteriza Cu), NPs irregulares aumentan superficie activa (dispersión 80-90% átomos superficiales).
4. Post-tratamiento (2 h):
   • Reduce en flujo H?/Ar (10% H?, 50 sccm) a 300°C por 2 h (rampa 10°C/min).
   • Química: CuO + H? ? Cu? + H?O; parcial a Cu? (XPS: ~60% Cu?, 40% Cu?). Esto crea sitios bimetálicos Cu?/Cu? para hidrogenación selectiva.
   • Enfría en inerte (N?), almacena en viales sellados (evita reoxidación).

Caracterización recomendada (para validar):

• TEM/SEM: NPs 2-5 nm en TiO?.
• XPS: Estados Cu? (BE 932.6 eV), Cu? (933.6 eV), Ti^{3+}.
• UV-Vis: Absorción extendida a 420 nm (E_g = 2.95 eV).
• BET: Superficie ~50 m²/g.

3. Mecanismo Fotocatalítico Paso a Paso: La Reducción de CO? a CH?OHEl proceso ocurre en un reactor de lecho fluidizado (MSMR-0.5: cámara cuarzo 0.5 L, espejo parabólico para concentración solar). Condiciones: CO?/H?O vapor (15/7.5 sccm), agitación 50-100 rpm, T ambiente <100°C, luz UV/Vis concentrada (700-1400 W/m²).Paso 0: Adsorción:

• CO? y H?O se adsorben en sitios Cu/TiO?: CO? en Cu? (débil, ?H_ads ? -20 kJ/mol), H?O en vacantes V_O de TiO?.
• Ecuación: CO?(g) + *Cu ? *CO? (ads).

Paso 1: Excitación foto (inmediata, fs-ps):

• Fotón (h? > E_g = 2.95 eV) excita: TiO? + h? ? e? (CB) + h? (VB).
• Transferencia: e? a Cu? (Fermi level Cu ~0 V > CB TiO? -0.5 V), h? queda en TiO?.

Paso 2: Oxidación de agua (paralela, VB):

• 2 H?O + 4 h? ? O? + 4 H? (E° = +0.82 V, favorable ya que VB +2.7 V).
• Produce H? para protonar intermediarios.

Paso 3: Reducción de CO? (vía 6e? en Cu, CB):

• Ruta selectiva a metanol (DFT guía barreras bajas):
  1. *CO? + e? + H? ? *COOH (carboxilato, +0.2 kJ/mol, barrera 0.3 eV).
  2. *COOH ? *CO + OH? (-0.3 kJ/mol, barrera 0.4 eV; *CO adsorbido en Cu?).
  3. *CO + H? + e? ? *CHO (formil, -0.1 kJ/mol, barrera 0.5 eV—limitante, estabilizado por Cu?).
  4. *CHO + H? + e? ? *CHOH (hidroxymetil, -0.4 kJ/mol, barrera 0.2 eV).
  5. *CHOH + H? + e? ? *CH?OH (hidroxietil, -0.5 kJ/mol, barrera 0.17 eV).
  6. *CH?OH + H? + e? ? CH?OH (desorbe, -0.6 kJ/mol total downhill desde *CO).
• Selectividad >70%: Cu? baja barrera *CO ? *CHO (0.5 eV vs. 1.2 eV en TiO? puro), favoreciendo 6e? sobre 2e? (CO) o 8e? (CH?). Subproductos <30% (CO ~15%, CH? ~10%).
• Tiempo: Ciclo ~24 h/batch, monitoreo GC para CH?OH/O? (1.5:1 estequiométrico).

Perfil de energía Gibbs (DFT, acumulativo):

4. Rendimiento y Simulaciones: Datos Cuantitativos

• Yields: 5-10 µmol/g·h CH?OH (lab), QE >5% a 400 nm. Vs. irradiancia: Lineal inicial, saturación ~11 µmol/g·h a 2000 W/m² (ver tabla/gráfica en post; sim modelo: yield = 12 * (1 – exp(-I/800))).
• Simulaciones:
  • DFT (PySCF/HF-STO-3G): ?E *CO ? *CHO = -1.15 eV (exotérmica), confirma barreras bajas.
  • Aspen: LCoM 811 USD/t (2025), sensibilidad ±20% en irradiancia (baja 40% en nublado).

5. Escalabilidad Industrial: De Lab a Planta

• Batch 100 g ? 0.5-1 g/h CH?OH.
• Escala: Reactor continuo (100 t/año catalizador para 60 kt/año metanol), CAPEX 7.5 M€, OPEX 6.7 M€/año, rentable con créditos CO? (>100 €/t).
• Limitaciones: Intermitencia solar (mitigada con concentración/LEDs UV); durabilidad >100 h (Cu sinteriza >500°C).

Glosario Rápido para Reforzar

• QE (Quantum Efficiency): Fotones absorbidos / moléculas producidas (>5% = 1/20 fotones útiles).
• Vía 6e?: 6 electrones/protones para CH?OH vs. 2e? para CO.
• *Estados X: Intermediarios adsorbidos (asterisco = sitio superficial).